IRF640NLPBF
IRF640NLPBF
2180
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.26 |
| 1000 | $1.42 |
| 9000 | $1.22 |
Технические характеристики
| Серии | HEXFET?? |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Тип крепления | Through Hole |
| Максимальная мощность | 150W |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-262 |
| Заряд затвора | 67nC @ 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1160pF @ 25V |
| Техническое описание |
IRF640N(S,L)PbF |
| Группа | FETs - Single |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Альтернативные названия | *IRF640NLPBF |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Упаковка | Tube |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250??A |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | TO-262-3 Long Leads, I??Pak, TO-262AA |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 18A (Tc) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 150 mOhm @ 11A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
