IRF630NSTRLPBF
IRF630NSTRLPBF
1930
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.82 |
| 10 | $2.50 |
| 100 | $1.98 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | IRF630NSTRLPBFCT |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 9.3A (Tc) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
| Установка персональной сети передачи данных |
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| Заряд затвора | 35nC @ 10V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Максимальная мощность | 82W |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | HEXFET® |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Техническое описание |
IRF630N |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
