IRF3717TRPBF
IRF3717TRPBF
4000
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 4000 | $1.14 |
Технические характеристики
| Серии | HEXFET® |
| Максимальная мощность | 2.5W |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Группа | FETs - Single |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Альтернативные названия | IRF3717PBFTR |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Заряд затвора | 33nC @ 4.5V |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Минимальная упаковка шт. | 4,000 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Установка персональной сети передачи данных |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 20A (Ta) |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Техническое описание |
IRF3717PbF |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2890pF @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
