IRF3703PBF
IRF3703PBF
1002
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $5.46 |
| 1000 | $2.82 |
| 9000 | $2.46 |
Технические характеристики
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
| Заряд затвора | 209nC @ 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 8250pF @ 25V |
| Упаковка | Tube |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 210A (Tc) |
| Максимальная мощность | 3.8W |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
IRF3703PbF |
| Серии | HEXFET® |
| Тип крепления | Through Hole |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Группа | FETs - Single |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Альтернативные названия | *IRF3703PBF |
| Включенная служба передачи радиоданных | 2.8 mOhm @ 76A, 10V |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
