IPB03N03LB G
IPB03N03LB G
939
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $6.20 |
10 | $5.53 |
500 | $3.67 |
Технические характеристики
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Устаревание персональной сети передачи данных\конец линии |
Multiple Devices 04/Jun/2009 |
Группа | FETs - Single |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 100µA |
Серии | OptiMOS™ |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Заряд затвора | 59nC @ 5V |
Максимальная мощность | 150W |
Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Техническое описание |
IPB03N03LB |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 80A (Tc) |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 7624pF @ 15V |
Альтернативные названия | IPB03N03LBG IPB03N03LBGINCT |
Включенная служба передачи радиоданных | 2.8 mOhm @ 55A, 10V |
Поставляемая упаковка продукта | PG-TO263-3 |
Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА