SiC-диоды Шоттки Gen 3

Карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки Vishay 16 Gen 3 на напряжение 1200 В имеют объединенную конструкцию PIN-Шоттки (MPS). Они также сочетают в себе высокую устойчивость к импульсным токам с низким падением напряжения в прямом направлении, емкостным зарядом и обратным током утечки, что повышает эффективность и надежность конструкций импульсного питания. MPS-структура диодов, задняя сторона которой утончена с помощью технологии лазерного отжига, снижает прямое падение напряжения. Низкий типичный обратный ток утечки устройств снижает потери проводимости, обеспечивая высокую эффективность системы при малых нагрузках и на холостом ходу. Для дальнейшего повышения эффективности диоды третьего поколения практически не имеют хвоста восстановления, в отличие от сверхбыстрых диодов.

Эти диоды обеспечивают AC/DC PFC и сверхвысокочастотное выходное выпрямление DC/DC в преобразователях FBPS и LLC для таких приложений, как инверторы солнечной энергии, системы хранения энергии, промышленные приводы и инструменты, а также центры обработки данных.