Диоды защиты от электростатического разряда нового поколения

Диоды защиты от электростатического разряда PANJIT Gen.2 оптимизированы для высокой эффективности и низкого тока утечки, обеспечивая низкие показатели вносимых потерь от -0,25 дБ до -0,38 дБ при 10 ГГц. Благодаря сверхнизкой емкости в диапазоне от 0,09 пФ до 1 пФ и низкому напряжению фиксации от 2,6 В до 11,6 В диоды защиты от электростатического разряда PANJIT обеспечивают надежную и прочную защиту от электростатических событий.

Эти продукты доступны в компактных корпусах, таких как DFN0603-2L, DFN1006-2L и DFN1006-3L, а также в гибких корпусах, таких как DFN2510A-10L и SOT-23-6L-1, что делает их идеальными для различных интерфейсов и портативной электроники, где ограничения по размеру являются проблемой. Области применения включают источники питания, вычислительную технику, бытовую электронику и устройства связи.