Мощные полевые МОП-транзисторы класса HiPerFET ™ класса X, 1000 В
Линейка силовых полупроводниковых электроприводов MPSFET класса HiPerFET, X-класса, XI класса 1000 В от IXYS , которая теперь входит в состав Littelfuse, оптимизирована для устройств, требующих мягкого подключения мощности. Транзисторы предлагают сопротивление на входе и заряд затвора всего 66 мОм и 113 наноуломб, соответственно.
Оборудование имеет запатентованную технологию процесса и разработано с использованием принципа компенсации заряда. Транзисторы на 1000 В обладают сверхнизким сопротивлением во включенном состоянии, а также низким зарядом затвора и превосходными характеристиками dv / dt. Их лавинная способность повышает их прочность, предотвращая отказ устройства, вызванный переходными процессами напряжения и случайным включением сопутствующего оборудования. Кроме того, благодаря своему диодному корпусу, сверхпереходные полевые МОП-транзисторы имеют высокую эффективность работы. Один MOSFET может заменить несколько параллельно подключенных устройств с более высоким сопротивлением, упрощая конструкцию, повышая надежность и одновременно экономя затраты.
Хорошо подходят для работы с данными транзисторами следующие устройства: источники питания в резонансном режиме, приводы переменного и постоянного тока, преобразователи постоянного тока, роботизированные устройства и сервоуправления, интеллектуальные счетчики, инверторы возобновляемой энергии, сварочные инверторы и аккумуляторы зарядных устройств.
Силовые полевые МОП-транзисторы X-класса 1000 В с диодами HiPerFET доступны в упаковках международного стандарта TO-247, PLUS247, TO-268HV, SOT-227, TO-264 и PLUS264. Номера деталей включают IXFH26N100X, IXFT32N100X, IXFK52N100X и IXFN74N100X с номинальным током 26 A, 32 A, 52 A и 74 A соответственно.
