Семейство RF Транзисторов большой мощности BLL8Hxx

Компания NXP представляет линейку RF транзисторов BLL8Hxx 8 поколения LDMOS 50 V, применяемых в решениях для радаров, работающих а L- диапазоне. Линейка продуктов BLL8Hxx обеспечивает работу в широком диапазоне (1.2-1.4 GHz) с возможными уровнями мощности на выходе 25, 130, 250 и 500 W (P,1 dB). Семейство BLL8Hxx транзисторов отличается интегрированной двухсторонней ESD защитой, наличием внутренних цепей согласования, улучшенной прочностью, высокой производительностью (typ. 50%) и высокой термоустойчивостью.

Перейти к транзисторам:

BLL8H0514-25: транзистор 25 W LDMOS предназначен для импульсных устройств, работающих в диапазоне от 0.5 GHz до 1.4 GHz

BLL8H0514L(S)-130: транзистор 130 W LDMOS предназначен для импульсных устройств, работающих в диапазоне от 0.5 GHz до 1.4 GHz

BLL8H1214LS-500: транзистор 500 W LDMOS предназначен для импульсных устройств, работающих в диапазоне от 1.2 GHz до 1.4 GHz

BLL8H1214L(S)-250: транзистор 250 W LDMOS предназначен для решений, используемых в радарах, работающих в L-диапазоне от 1.2 GHz до 1.4 GHz