SIS890DN-T1-GE3
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.22 |
| 10 | $2.84 |
| 1000 | $1.38 |
Технические характеристики
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Single |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? 1212-8 |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? 1212-8 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Заряд затвора | 29nC @ 10V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Максимальная мощность | 52W |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Альтернативные названия | SIS890DN-T1-GE3CT |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Техническое описание |
SIS890DN |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 802pF @ 50V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250??A |
| Включенная служба передачи радиоданных | 23.5 mOhm @ 10A, 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 30A (Tc) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Серии | TrenchFET?? |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
