SIR826DP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3
35786
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $6.68 |
| 10 | $6.03 |
| 1000 | $3.12 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
SIR826DP |
| Заряд затвора | 90nC @ 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 40V |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? SO-8 |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SO-8 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V |
| Упаковка | Digi-Reel?? |
| Максимальная мощность | 104W |
| Рекомендуемый продукт |
ThunderFET?? |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Альтернативные названия | SIR826DP-T1-GE3DKR |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Серии | TrenchFET?? |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250??A |
| Группа | FETs - Single |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 60A (Tc) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
