SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3
19278
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.46 |
| 10 | $2.18 |
| 1000 | $1.05 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
SIR410DP |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Серии | TrenchFET?? |
| Максимальная мощность | 36W |
| Альтернативные названия | SIR410DP-T1-GE3CT |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 35A (Tc) |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SO-8 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 41nC @ 10V |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? SO-8 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
