SIHB24N65E-GE3
SIHB24N65E-GE3
969
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $13.12 |
10 | $11.72 |
1000 | $6.56 |
Технические характеристики
Техническое описание |
SiHB24N65E |
Минимальная упаковка шт. | 1,000 |
Заряд затвора | 122nC @ 10V |
Группа | FETs - Single |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Максимальная мощность | 250W |
Тип крепления | Surface Mount |
Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tube |
Серии | - |
Включенная служба передачи радиоданных | 145 mOhm @ 12A, 10V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2740pF @ 100V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 650V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 24A (Tc) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
Альтернативные названия | SIHB24N65EGE3 |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Поставляемая упаковка продукта | D²PAK |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА