SIA445EDJ-T1-GE3
SIA445EDJ-T1-GE3
27000
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.52 |
Технические характеристики
| Максимальная мощность | 19W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 250??A |
| Включенная служба передачи радиоданных | 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Заряд затвора | 72nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? SC-70-6 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Tc) |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SC-70-6 Single |
| Группа | FETs - Single |
| Техническое описание |
SiA445EDJ |
| Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
| Серии | TrenchFET?? |
| Альтернативные названия | SIA445EDJ-T1-GE3TR SIA445EDJT1GE3 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2130pF @ 10V |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
