SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3
1005
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.46 |
| 10 | $1.22 |
| 1000 | $0.52 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Максимальная мощность | 19W |
| Альтернативные названия | SIA429DJT-T1-GE3DKR |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
SiA429DJT |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1750pF @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Tc) |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Включенная служба передачи радиоданных | 20.5 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Заряд затвора | 62nC @ 8V |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
