SI8497DB-T2-E1
SI8497DB-T2-E1
2118
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.38 |
10 | $1.16 |
1000 | $0.49 |
Технические характеристики
Заряд затвора | 49nC @ 10V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250??A |
Максимальная мощность | 13W |
Группа | FETs - Single |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 13A (Tc) |
Техническое описание |
Si8497DB |
Тип крепления | Surface Mount |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1320pF @ 15V |
Поставляемая упаковка продукта | 6-microfoot |
Альтернативные названия | SI8497DB-T2-E1DKR |
Включенная служба передачи радиоданных | 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Серии | TrenchFET?? |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Кейс\упаковка | 6-UFBGA |
Упаковка | Digi-Reel?? |
Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА