SI7820DN-T1-GE3
SI7820DN-T1-GE3
116
MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.26 |
| 10 | $2.90 |
| 1000 | $1.40 |
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Группа | FETs - Single |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Максимальная мощность | 1.5W |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Техническое описание |
Si7820DN |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Включенная служба передачи радиоданных | 240 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® 1212-8 |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Серии | TrenchFET® |
| Альтернативные названия | SI7820DN-T1-GE3CT |
| Заряд затвора | 18nC @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
