SI7119DN-T1-E3
SI7119DN-T1-E3
12000
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.89 |
Технические характеристики
| Включенная служба передачи радиоданных | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Серии | TrenchFET® |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Заряд затвора | 25nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 666pF @ 50V |
| Максимальная мощность | 52W |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
| Техническое описание |
SI7119DN |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Альтернативные названия | SI7119DN-T1-E3TR SI7119DNT1E3 |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® 1212-8 |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
