SI7106DN-T1-GE3
SI7106DN-T1-GE3
6000
MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
3000 | $1.15 |
Технические характеристики
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12.5A (Ta) |
Тип крепления | Surface Mount |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Группа | FETs - Single |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
Включенная служба передачи радиоданных | 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Альтернативные названия | SI7106DN-T1-GE3TR SI7106DNT1GE3 |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® 1212-8 |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Максимальная мощность | 1.5W |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Серии | TrenchFET® |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Техническое описание |
Si7106DN |
Кейс\упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
Заряд затвора | 27nC @ 4.5V |
Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА