SI5499DC-T1-GE3
SI5499DC-T1-GE3
354
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.42 |
| 10 | $1.20 |
| 100 | $0.90 |
Технические характеристики
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 6.2W |
| Заряд затвора | 35nC @ 8V |
| Серии | TrenchFET® |
| Включенная служба передачи радиоданных | 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Альтернативные названия | SI5499DC-T1-GE3CT SI5499DCT1GE3 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
| Кейс\упаковка | 8-SMD, Flat Lead |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1290pF @ 4V |
| Техническое описание |
SI5499DC |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6A (Tc) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Single |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Поставляемая упаковка продукта | 1206-8 ChipFET™ |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
