SI5415AEDU-T1-GE3
SI5415AEDU-T1-GE3
8870
MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.46 |
10 | $1.27 |
1000 | $0.58 |
Технические характеристики
Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
Максимальная мощность | 31W |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250??A |
Альтернативные названия | SI5415AEDU-T1-GE3CT |
Серии | TrenchFET?? |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Тип крепления | Surface Mount |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? ChipFet Single |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 4300pF @ 10V |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 25A (Tc) |
Включенная служба передачи радиоданных | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
Рекомендуемый продукт |
Vishay Siliconix - 12 V and 20 V P-Channel Gen III MOSFETs |
Кейс\упаковка | PowerPAK?? ChipFET??? Single |
Заряд затвора | 120nC @ 8V |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Группа | FETs - Single |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
Техническое описание |
SI5415AEDU |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА