SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-GE3
2500
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.38 |
| 10 | $2.99 |
| 1000 | $1.45 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Группа | FETs - Single |
| Заряд затвора | 56nC @ 4.5V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Серии | TrenchFET® |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Альтернативные названия | SI4463BDY-T1-GE3CT |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
SI4463BDY |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 9.8A (Ta) |
| Максимальная мощность | 1.5W |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 11 mOhm @ 13.7A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
