SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3
2950
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.22 |
| 10 | $1.97 |
| 1000 | $0.95 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Техническое описание |
SI3900DV |
| Заряд затвора | 4nC @ 4.5V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Альтернативные названия | SI3900DV-T1-GE3CT |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2A |
| Группа | FETs - Arrays |
| Максимальная мощность | 830mW |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Серии | TrenchFET® |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
