SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3
95857
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $0.98 |
10 | $0.82 |
1000 | $0.35 |
Технические характеристики
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Заряд затвора | 36nC @ 10V |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Поставляемая упаковка продукта | TO-236 |
Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 7.6A (Tc) |
Группа | FETs - Single |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Максимальная мощность | 2.5W |
Альтернативные названия | SI2369DS-T1-GE3CT |
Включенная служба передачи радиоданных | 29 mOhm @ 5.4A, 10V |
Тип крепления | Surface Mount |
Техническое описание |
SI2369DS |
Серии | TrenchFET® |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1295pF @ 15V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА