SI2315BDS-T1-E3
SI2315BDS-T1-E3
181621
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.00 |
| 10 | $0.84 |
| 1000 | $0.36 |
Технические характеристики
| Техническое описание |
SI2315BDS |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Заряд затвора | 15nC @ 4.5V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250??A |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Серии | TrenchFET?? |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 3A (Ta) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12V |
| Максимальная мощность | 750mW |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 715pF @ 6V |
| Альтернативные названия | SI2315BDS-T1-E3CT |
| Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
