SI2312CDS-T1-GE3
SI2312CDS-T1-GE3
81000
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.32 |
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6A (Tc) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Включенная служба передачи радиоданных | 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Альтернативные названия | SI2312CDS-T1-GE3TR SI2312CDST1GE3 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Группа | FETs - Single |
| Заряд затвора | 18nC @ 5V |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250??A |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 2.1W |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серии | TrenchFET?? |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
SI2312CDS |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
