SI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3
1867
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.06 |
| 10 | $0.89 |
| 1000 | $0.38 |
Технические характеристики
| Заряд затвора | 12nC @ 4.5V |
| Упаковка | Digi-Reel® |
| Включенная служба передачи радиоданных | 31 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Альтернативные названия | SI2312BDS-T1-GE3DKR |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 850mV @ 250µA |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Техническое описание |
Si2312BDS |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Серии | TrenchFET® |
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Максимальная мощность | 750mW |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
