SI2301BDS-T1-E3
SI2301BDS-T1-E3
248115
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.88 |
| 10 | $0.69 |
| 1000 | $0.24 |
Технические характеристики
| Серии | TrenchFET® |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Заряд затвора | 10nC @ 4.5V |
| Максимальная мощность | 700mW |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Техническое описание |
SI2301BDS |
| Группа | FETs - Single |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 375pF @ 6V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | SI2301BDS-T1-E3CT |
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
