SI1025X-T1-GE3
SI1025X-T1-GE3
178
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.18 |
| 10 | $1.00 |
| 1000 | $0.42 |
Технические характеристики
| Кейс\упаковка | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Поставляемая упаковка продукта | SC-89-6 |
| Альтернативные названия | SI1025X-T1-GE3CT |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| Максимальная мощность | 250mW |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 190mA |
| Серии | TrenchFET® |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Arrays |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Заряд затвора | 1.7nC @ 15V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
SI1025X |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
