CSD16411Q3
CSD16411Q3
20159
Под заказ
N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.80 |
100 | $1.06 |
1000 | $0.76 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | 8-TDFN Exposed Pad |
Страница изготовителя продукта |
CSD16411Q3 Specifications |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 14A (Ta), 56A (Tc) |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 570pF @ 12.5V |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Тип крепления | Surface Mount |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SON |
Видео файл |
NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview |
Техническое описание |
CSD16411Q3 |
Заряд затвора | 3.8nC @ 4.5V |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Ресурсы исполнения |
Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer |
Установка персональной сети передачи данных |
Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 |
Альтернативные названия | 296-24255-1 |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Группа | FETs - Single |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Qualification Revision A 01/Jul/2014 |
Модули обучения обращения с продуктами |
NexFET MOSFET Technology |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Максимальная мощность | 2.7W |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Включенная служба передачи радиоданных | 10 mOhm @ 10A, 10V |
Серии | NexFET™ |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА