IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $12.38 |
| 30 | $9.95 |
| 1020 | $6.19 |
Технические характеристики
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Техническое описание |
IXT(H,Q)200N10T |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250??A |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Группа | FETs - Single |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-3P |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Тип крепления | Through Hole |
| Минимальная упаковка шт. | 30 |
| Упаковка | Tube |
| Заряд затвора | 152nC @ 10V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 200A (Tc) |
| Серии | TrenchMV??? |
| Максимальная мощность | 550W |
| Включенная служба передачи радиоданных | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
