IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
190
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $5.04 |
50 | $4.07 |
1000 | $2.36 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Техническое описание |
IXT(Y,A,P)1R6N50D2 |
Тип крепления | Through Hole |
Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1.6A (Tc) |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 500V |
Рекомендуемый продукт |
Depletion-Mode D2??? Power MOSFETs |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 645pF @ 25V |
Серии | - |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 23.7nC @ 5V |
Максимальная мощность | 100W |
Включенная служба передачи радиоданных | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | - |
Группа | FETs - Single |
Минимальная упаковка шт. | 50 |
Характеристики полевого транзистора | Depletion Mode |
Кейс\упаковка | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА