IRFP250MPBF
IRFP250MPBF
13839
Под заказ
N-Channel 200V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.32 |
1000 | $1.56 |
9000 | $1.38 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Заряд затвора | 123nC @ 10V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
Включенная служба передачи радиоданных | 75 mOhm @ 18A, 10V |
Тип крепления | Through Hole |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
Серии | HEXFET® |
Максимальная мощность | 214W |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2159pF @ 25V |
Поставляемая упаковка продукта | TO-247AC |
Минимальная упаковка шт. | 25 |
Техническое описание |
IRFP250MPBF |
Кейс\упаковка | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 30A (Tc) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА